在氢化物气相外延（HVPE）生长Ga N厚膜中,反应腔壁面总会产生大量的寄生沉积,严重影响薄膜生长速率及质量。本文针对自制的大尺寸垂直......

GaN是重要的宽禁带半导体材料,氢化物气相外延（Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE）是制备GaN同质衬底的主要方法。在GaN的HVPE生长中......