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射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜
采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底......
期刊
ALN薄膜
射频(R.F.)
择优取向
氮终止的硅衬底
AlN thin films radio frequency(P
. F. ) magentron sp
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