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射频模拟特性相关论文
新型FinFET器件的模拟射频特性研究
随着CMOS器件尺寸已经接近物理极限,短沟道效应严重阻碍了半导体器件的进一步发展。虽然FinFET器件已经证实能够有效地抑制短沟道......
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短沟道效应
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基于Dual-k层的新型FinFET结构射频模拟特性研究
随着近半个世纪以来半导体产业的发展与前行,由于具有强大的栅极控制能力,良好的芯片集成度,FinFET器件结构已经成为了 14nm以下工......
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短沟道效应
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