工艺波动性相关论文
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)具有低导通压降、高载流子密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,常......
当工艺节点进入到3nm及以下,凭借着优异的栅控能力、较小泄漏电流以及对短沟道效应的有效抑制,环栅场效应晶体管(gate-all-around F......
半导体产业一直在飞速地发展,电路设计、晶体管和制备工艺等层面都取得了很大进步。当前集成电路产业界广泛应用的核心器件是鱼鳍......