用RBS技术、椭偏法和微量天平称重法测量了掺氟SnO_2(FTO)透明导电膜、掺铁ZnSe磁性半导体膜和Fe_2O_3气敏元件膜的薄膜厚度.实验......

利用粉体NbCl5作为Nb掺杂源，采用常压CVD方法合成了大尺寸Nb掺杂的少层MoS2薄膜。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜观察获得了该薄......

本研究通过常压CVD法在玻璃基板上分别镀制单层SnO2∶Sb（ATO）薄膜和SnO_2∶F（FTO）/ATO复合薄膜,研究单层ATO薄膜和复合薄膜对玻璃光电......