为了能够获得性能良好、击穿稳定的高压功率超快恢复二极管，本文对场板和场限环两种终端保护结构进行了充分的理论分析和仿真研......

用边界元素法开发成功了高压结终端通用模拟器ＢＲＥＡＫ，利用该软件对浮置金属场板与浮置场限环的复合终端结构进行了仿真计算，并与用ＴＭＡＭＥＤＩＣＩ４．０的仿真结......

用边界元素法开发成功了高压结终端通用模拟器ＢＲＥＡＫ，利用该软件对浮置金属场板与浮置场限环的复合终端结构进行了仿真计算，并与用ＴＭＡ ＭＥＤＩＣＩ４．０的仿真......

采用边界元法对非穿通情况ＦＰ－ＪＴＥ结构的特性进行了分析计算，发现击穿电压与注入剂量及界面电荷呈线性关系，场板对界面电荷敏感性与有抑制作......

提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法，分析了界面电荷对ＦＰ－ＪＴＥ终端结构的击穿电压的影响，结果表明击穿电压几乎与......

对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较，总结了其一般规律，给出了优化设计方法的流程图，并对终端结构的......