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氧化锌薄膜晶体管的制备与研究
ZnO作为一种宽禁带半导体材料(室温下禁带宽度为3.37eV),具有比GaN更高的激子束缚能(60meV),具有良好的压电和光电等性能,继GaN之......
学位
ZnO
MOCVD
射频磁控溅射
薄膜晶体管
底栅型
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