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基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值......
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影响直接外延生长氧化物薄膜的因素有很多，最主要的是保证氧化物薄膜的正确成相和在单晶衬底上成核．直接外延生长时，衬底温度影响到薄......
讨论了ＭＯＣＶＤ外延膜Ｘ射线衍射摇摆曲线中干涉指纹的各种特征。指出了由干涉指纹测定薄膜最度的精确性。研究了影响干涉指纹的，为正确识辨材......
