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微沟槽效相关论文
ICP参数和掩膜材料对SiC刻蚀界面的影响
本文采用SF6和O2两种不同的气体对SiC进行ICP沟槽刻蚀,当O2的流量增加时,O2和F离子会与C生成易挥发的CO,CO2和COF2,进而增加了SiC......
会议
SiC刻蚀
表面粗糙度
刻蚀选择比
微沟槽效
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