微波单片集成电路(MMIC)相关论文
基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0～31.5 dB.通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合......
基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30～34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)......
研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成.将10......
对基于GaAs异质结外延材料、0.15 μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(M......
基于0.15 μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该放大器采用4级级联结构......
集成电路技术进入后摩尔时代后,自下而上发展的分子电子学碳基纳电子的技术突破引起人们的高度关注.目前碳基纳电子的发展基于一维......
基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片.芯片内......
介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管（mHEMT）工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波......
数字化单片全集成是信道技术发展的必然趋势,也将推动新一代作战平台进一步小型化、轻薄化及多功能集成化。该文介绍了单片全集成......
用故障树分析法对一款高温工作寿命试验过程中烧毁的Ga As功率单片集成电路(MMIC)进行失效分析。故障样品呈现为有源区烧毁,判定由......
期刊
基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器(HPA)。根......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
本文设计了一款GaAs PHEMT微波单片集成电调衰减器,该电路设计采用T型衰减器的拓扑结构,对电调衰减器的线性度进行了专门设计。针......
采用GaAs增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路(MMIC......
采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该低......
随着微波T/R组件小型化需求的增加,微波单片集成电路(MMIC)向小型化和多功能发展。基于GaAs E/D PHEMT工艺成功研制了一款超小型7~......
目前以手机为代表的移动通信终端正逐步向小型化、多频段、多功能、多制式以及低成本的方向发展,而且日趋激烈的竞争也对研发时间......
基于InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款F频段三倍频放大多功能芯片。将三倍频器与驱动放大器级联,实现了F频段三倍频放......
随着微波电路和半导体材料的发展,单片微波集成电路(MMIC)技术日益成熟。MMIC凭借其尺寸小、质量轻、可靠性高、抗干扰能力强等一......
超宽带低相移单片微波数字衰减器在宽带电子对抗、相控阵雷达系统和宽带微波合成扫频信号发生器等仪器仪表中都有着广泛的应用。本......
随着微波通讯技术的发展,微波单片集成电路(MMIC)以其小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、批量生产成本低和产品性能一致性好等优......
采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段G......
