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微管闭合相关论文
无微管缺陷六英寸SiC单晶的制备
SiC单晶衬底中的微管缺陷对SiC基器件是一种致命的缺陷,会严重影响SiC功率器件的成品率.基于物理气相传输(PVT)法,通过改进生长设......
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微管缺陷
碳化硅单晶
微管闭合
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