通过在Al2O3器件中引入Ag纳米颗粒(Ag NPs)，利用电场局部增强和不均匀分布来优化器件的忆阻特性，获得了很好的效果。实验发现:所制备......

为了研究介质阻挡放电放电间隙的伏安特性,搭建同轴介质下介质阻挡放电的电路模型,研究其放电过程中的电压和电流关系从而得到其伏......

随着半导体工艺的快速发展，元器件的集成度越来越高，存储器件尺寸越来越小。忆阻器具有尺寸小，存储量大，存储读取快速和低能耗等优势，有......

目前,基于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的传统存储技术逐渐接近其物理极限,计算机存储墙问题日益严重,这严重阻碍着计算机技术......

采用聚3,4-乙撑二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT：PSS）作为存储层构建了ITO/PEDOT：PSS/Al的三明治结构的忆阻元件。利用半导体参数分析仪......

为了研究微腔结构介质阻挡放电的非线性电阻特性,搭建微腔结构介质阻挡放电的仿真模型,研究其放电过程中的电压和电流关系从而得到......