采用射频溅射法在Si（111）基片上制备了（Ba，Sr）TiO3（BST）薄膜，并对制备的薄膜进行了快速退火热处理。采用X射线衍射和原子力显微镜分析了退......

采用射频(RF)磁控溅射方法,在2种基底温度(TS=25,310℃)的基片上制备了结构为Si(111)/NdFeCo(610 nm)/Cr(10 nm)的薄膜样品,溅射氩......