成键态相关论文
对三种不同晶面（（１００），（１１０）和（１１１））的超晶格（ＡｌＡｓ）＿１（ＧａＡｓ）＿１，（ＡｌＡｓ）＿３（ＧａＡｓ）＿３的电子结构进行了第一性原理的计算，采用冻结势万法系统地分析了在不同的晶向和不同的周期层厚度的情况下......
分别采用单带重空穴近似和六带Kronig-Penney模型,对垂直耦合锗量子点在不同耦合距离下的空穴态特性进行了计算,并探讨了自旋-轨道......
本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接......
半导体异质结界面两侧价带带阶ΔE_v值(即va|ence-band offsets)是决定量子阱、超晶格电子态重要的物理量,无论是理论计算还是实验......
本文用紧束缚近似计算了La_2-_xSr_xCuO_4(x=0, 0.15)的局域电子态密度.计算结果与能带论和实验符合,但比能带的结果更为细致.本文......
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),计算了Ce原子在α-Fe晶内、晶界和自由表面的杂质形成能,......
超硬材料目前主要有金刚石和立方氮化硼这两种物质，由于工业发展的需要，开发新的超硬材料有着非常重要的意义，因此设计和探索超硬材料......
采用绝热离分近似方法，计算最均匀强磁场（0.5≤β≤1000)中H2^＋的△μ，Φg,Гu,Hg态（无外磁场或外磁场较弱时为反键）的能级及原子核间的......
