本论文主要论述了高频大功率SiGeHBT的设计方法，包括纵向结构及横向结构设计。详细介绍了器件制备的工艺流程，包括岛形隔离及掩埋金......

SiGe HBT以Si工艺为基础,因此器件工艺比较成熟,且造价低,易与现有的Si工艺兼容,其放大器功率附加效率PAE(Power Additive Efficie......