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碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料
SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结......
期刊
碳化硅(SiC)
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
掩膜图形化
选择比
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