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掺氮栅氧化硅相关论文
掺氮氧化硅栅介质对0.13um CMOS器件1/f噪声特性影响的研究
当CMOS工艺发展到深亚微米阶段,传统的二氧化硅栅氧介质已经接近其物理极限。为减少栅氧化层的隧穿电流,提高其对硼的阻挡能力,势......
学位
栅氧化层
掺氮栅氧化硅
1/f噪声
栅氧化工艺
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