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掺钒半绝缘相关论文
生长界面对掺钒SiC电阻率的影响
碳化硅(SiC)单晶多采用物理气相传输(PVT)法及籽晶顶置工艺生长,典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面,在100 mm(4英寸)......
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掺钒半绝缘
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