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改善工艺理论相关论文
SiC SBD的工艺研究及利用Silvaco模拟特性
SiC半导体材料是继第一代半导体材料Si和第二代化合物半导体材料之后发展起来的第三代宽带隙(WBS)半导体材料,宽禁带半导体是指禁带......
学位
SiC SBD
Silvaco TCAD
改善工艺理论
正向特性
工艺模拟
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