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方均根粗糙度相关论文
纳米Cu/SiO2薄膜制备及其性能
采用热蒸发在载玻片和SiO2衬底上沉积约5. 12 nm的Cu薄膜,再用退火炉分别进行100、200、300、400和500℃等5个温度退火,得到不同温......
期刊
Cu薄膜阵列
方均根粗糙度
退火温度
透射率
Cu thin film arrayroot mean square roughnessannealing tem
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