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介绍了无铝激光器的优点;利用LP-MOVPE生长了InGaAsP/InGaP/GaAs分别限制异质结构单量子阱(SCH-SQW)结构,讨论了激光器的腔长对特......

为了证明无Al激光器在可靠性方面优于有Al激光器，对InGaAsP/GaAs无Al和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有Al的808 nm大功率半导体激光器进行了......

为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对In Ga As P/Ga As无铝和Al Ga In As/Al Ga As/Ga As有铝的808 nm大功率......