时变击穿相关论文
介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性.结合两种氮化工艺在栅介质膜中形成了......
随着微电子技术的发展，金属栅/高k栅介质结构取代传统的多晶硅/SiO2(或SiON)结构成为必然趋势。根据国际半导体技术发展路线图，在200......
集成电路制造技术进入45纳米技术节点后，传统的SiO2栅介质和多晶硅栅电极结构已不能满足MOS器件的微缩要求，高介电常数栅介质（高k栅介......
随着大规模集成电路制造技术的不断发展，CMOS器件特征尺寸不断缩减，栅氧化层不断减薄从而导致过高的栅泄漏电流、多晶硅耗尽效应以及......
基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实......
研究了14－16nm的H2－03合成薄栅介质击穿特性。实验发现，N2O气氛氮化H2－02W合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性......
基于一阶速率方程，讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为，通过对应力电流的拟合，发现存在三类缺陷产生的前身，更进一步的实验显示，在......
利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3．45nm的Al2O3栅介质MOS电容，研究了Al2O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可......
基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统......
研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零......
随着CMOS集成电路按照摩尔定律的快速发展,器件的特征尺寸已进入了纳米量级,传统的SiO2栅介质厚度减小会导致很高的隧穿电流,已不......
