晶体管设计相关论文
本文主要介绍了硅微波脉冲功率晶体管设计中应用的低热阻的均匀热分布技术、防二次击穿设计技术、多层难熔金属及双层金属化结构、......
该文从实际工艺出发，探讨了Ｌ波段２２０Ｗ大功率管的设计与实验结果。总结了影响大功率管输出特性的因素，实现了１．３ＧＨｚ下５胞匹配输出２０３Ｗ（１０μｓ）的阶段性成果。......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)融合了MOSFET与BJT的优点，是现代电力电子领域最重要的功率器件之一。然而，IGBT器件结构与工作机理的复杂......
本文以石墨烯的场效应晶体管为研究对象，针对器件的接触电阻和沟道迁移率进行了研究，所取得的主要研究成果包括：⑴对石墨烯器件存在的......
本文综合地研究LTPS TFT的电流模型,在前人的基础上对部分模型进行优化,如对亚阈值电流输出特性的关注。通过实验观测,我们发现在......
当我们进入本世纪头十年的时候，关于先进衬底的一个口号就是协作和定制化。 随着每一代新的芯片的推出，芯片制造商的器件架构和晶......
据物理学家组织网5月5日报道，德国维尔斯特拉斯应用分析和随机研究所和马克思·波恩研究所的科学家携手，提出了一种新型全光晶体......
【正】低功耗可能是今天最苛刻的设计要求.这并不只局限于便携式设备,也适用于台式计算机.台式计算机里的风扇噪音以及能耗引起的......
2007年1月26日，在美国加州圣克拉拉，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用2种完全不同以往的晶体管材料来......
提出了一种按温度比例因子设计低温双极晶体管的设计规则。在考虑双极晶体管低温效应的前提下，着重分析了双极晶体管发射区和基区的......
英特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。英特尔将推出被称为三栅极（Tn—Gatel的革命性3-D晶体管设计，并将批量投产研......
以晶体管设计为例，将遗传算法应用在半导体器件设计领域从而替代传统的设计方法，即给出输入电学设计要求，便能在计算机模拟运算后输出......
Stratos是 Hovland推的第三款后级功效，第一款是每声道40W的立体声胆机Sapphire,当时 Hovland的设计Bob Hovland建设如果用家谦功......
介绍一种病员传呼器的设计江苏省常州市第一人民医院医疗器械科（江苏２１３００３）杨康正笔者介绍一种传呼器。其特点是成本低、可靠性高、能多位......
最近,我拜访了曾经在中国科学院政策研究室工作的高锴先生,从他那里了解到一个耐人寻味的故事。故事的主人公名吴锡九,1932年出生......
Microsemi Corporation宣布，推出一个达到最新技术水平的大功率晶体管，可应用于超高频长脉冲调制雷达。型号为0405—500L的双极型晶......
2000年，半导体行业开始悄无声息地开始生产“纳米芯片”，这是器件线宽小于100nm的芯片，也就是用栅宽小于100nm的晶体管设计出的电路芯......
英特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来,3-D结构......
《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3．D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3．D三栅极晶体管结构代......
Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破，沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构．一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。......
四十多年前Intel公司的创始人之一戈登·摩尔预言：集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一番。如今英特尔晶体管设......
2007年1月29日，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的......
