暗信号相关论文
为研究CMOS有源像素传感器的质子辐照损伤效应,对某国产0.5μm工艺制造的CMOS有源像素传感器进行了10MeV质子辐照试验.当辐照注量......
采用电流-电压曲线研究近红外铟镓砷(InGaAs)光敏芯片的暗电流, 并分析了InGaAs光敏芯片暗电流与InGaAs焦平面组件暗信号的关系。......
利用西安200 MeV质子应用装置进行了互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器(CMOS APS)的质子辐照效应研究.设计了便携式暗室,解......
对某国产0.5μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)N阱工艺CMOS有源像素传感器的电离总剂量效......
介绍了中国计量科学研究院研制的波长1.6 μm、测温范围为156～1 085℃的InGaAs近红外辐射温度计的改进方案和环境温度对其稳定性的......
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理......
采用了一种由P型衬底、N型沟道和P＋沟道截止组成的栅控二极管结构，并就影响该结构暗信号的载流子产生复合过程的相关因素进行了分析，......
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理......
对某国产CMOS图像传感器进行了两种不同能量的电子辐照试验,在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,考察了暗信号、饱和电压、光......
针对电荷耦合器件（CCD）在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响，对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先，通过开展......
研究CCD受到射线辐照后的电离辐照效应或者损伤机制,对于在辐射场环境下如何正确应用CCD开展科学研究具有重要的意义。针对面阵CCD......
为研究某国产0.5μmC MOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体）N阱工艺CMOS有源像素传感器（CMOS Active ......
应用于空间的图像传感器在辐射影响下产生的热像素严重影响空间光电探测性能，本文通过质子辐照试验研究了热像素的产生和变化规律。......
