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最浅蚀刻深度相关论文

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了......

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颗粒清除硅片清洗颗粒与表面间的作用最浅蚀刻深度最小蚀刻速度 particle removal silicon wafer cleaning part

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