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杂质外扩相关论文
基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响
SiGe/Si HBT的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区,使得低温增益下降,提出采用适当厚度的隔离层的方法,使HBT电流增益在低温下增长。......
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HBT
低温特性
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