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本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．
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实验证明,温度下降,受激发射阈值电流下降,进入一个饱和区。这与Hwang在300—10K间的观察结果一致。但尔后又继续上升。我们认为这......
近几年来,乳胶扩散逐步为人们所重视。由于它具有一系列优点而日益广泛地被应用于半导体器件生产工艺中。本文着重叙述在功率晶体......
本文首先从发射区Gummel数Ge出发分析提高器件电流增益β_0以磷分布的要求,然后通过散规律研究提高磷分布表面浓度N_S和梯度?K的工......
碳纳米管(CNTs)及其复合材料由于巨大的潜在应用价值受到研究者们越来越多的关注。CNTs的电学性质与CNTs的螺旋性、形态、层数、直......
