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半绝缘砷化镓中子嬗变掺杂行为研究
半导体材料的中子嬗变掺杂是中子物理与技术在半导体材料改性中的实际应用。它是通过中子引起的原子核嬗变掺入杂质,杂质浓度便于......
学位
中子嬗变掺杂
半绝缘GaAs
反应堆中子
14 MeV快中子
宏观截面
杂质转换系数
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