栅介质材料相关论文
随着有源显示技术的大规模商业化以及柔性电子器件的兴起,薄膜晶体管TFT作为重要的开关器件,其结构设计、材料选择、电学性能改善......
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法对单斜晶相HfO2的本征缺陷以及掺杂N、Si、Al、Ta的缺陷进行了系统的研究。计......
介绍高K材料引入的必要性及国内外的研究进展。分析了使用于做栅介质材料的种类。提出了高K栅介质材料研究中需要进一步解决的......
本文采用原子层淀积(ALD)的方法在碳化硅(SiC)上生长(HfO2)x(Al2O3)1-xhigh-k栅介质材料,运用X射线光电子能谱(XPS)分析了样品各元......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是由金属电极层,半导体有源层和栅介质绝缘层组成的场效应器件,它是有源有机发光二极管(Ac......
学位
作为第三代半导体材料的碳化硅（SiC）具有比传统的硅材料更宽的禁带宽度、更高的热导率和更强的临界击穿电场，因而在大功率开关和电力......
在互补型金属—氧化物—半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor，CMOS)器件中，铁电薄膜材料及高介电(high-k)薄膜材料的应用......
随着晶体管尺寸的持续缩小，不断增加的晶体管密度与工作频率造成集成电路散热量急剧增大，互连寄生效应成为影响芯片功耗与速度的关键......
系统地对基于高介电常数材料HfO2和传统的介质材料SiO2这两种不同栅介质层材料的硅薄膜晶体管进行建模并对不同尺寸和温度条件下的......
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这......
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小,SiO2作为MOSFET的栅介质材料在几年之内将不能满足需求,以此......
<正> Ⅰ、前言在航天、导弹等军事电系统硬件信成化的过程中,必须对核武器效应的影响引起足够重视。在核爆炸环境内,半导体器件的......
国际半导体技术蓝图（ITRS）预言了先进Complementary Metal-Oxide-Semiconductor（CMOS）器件尺寸缩减的趋势。当栅层的等效氧化厚度小于1......
