目前碳化硅(SiC)MOSFET大多沿用Si MOSFET和IGBT的驱动设计方法。然而,由于SiC MOSFET相比Si器件具有更高的开关速度,因而栅极内阻......

碳化硅(SiC)功率MOSFET具有高开关速度、高耐压、高温度耐受能力等特点,在高频大功率电力电子变换领域具有良好的应用前景。然而高......