槽漏相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

槽漏相关论文

基于槽技术的SOI LDMOS器件新结构研究

作为SOI(Silicon On Insulator)功率集成电路的核心器件,SOI LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件因具有低功耗、易于集成......

学位

绝缘体上硅槽栅槽漏槽源击穿电压比导通电阻

具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构

为降低绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的导通电阻,同时提高器件击穿电压,提出了一种具有纵向漏极场板的低......

期刊

槽栅槽漏低导通电阻击穿电压

看过本文同时还关注