横向分布测量相关硕士博士期刊学术论文

等离子体刻蚀工艺中,栅边缘直接暴露在等离子体环境中,UV射线和粒子轰击会在栅漏交叠区栅氧化层中和硅二氧化硅界面处产生大量的陷......