气-液-固生长相关论文
作为一种具有高迁移率、高空气稳定性和带隙可调的二维材料,纳米硒氧化铋(Bi2O2Se)半导体有望成为未来电子学集成器件和光电子集成......
si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米......
用"时间标尺"实验法测定了T-ZnO晶须在不同生长时期的生长速率,用扫描电镜观察分析了不同条件下晶须的生长形貌.结果表明:T-ZnO晶......
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以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固(VLS)生长机制在n-Si(111)单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样......