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氟基等离子体处理相关论文
AlGaN的光电性质及深紫外探测器
AlGaN是宽禁带半导体材料,随着Al组分从0增加到1,其禁带宽度从3.4eV增加到6.2eV,对应着波长范围365nm至200nm的紫外波段,是制备日......
学位
肖特基接触
氟基等离子体处理
表面态
紫外探测器
宽禁带半导体材料
光电性质
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