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氢化物气向外延相关论文
HVPE法制备碳掺杂半绝缘氮化镓晶圆片
利用氢化物气相外延法(HVPE)生长,以甲烷为掺杂源,成功制备获得四英寸自支撑半绝缘氮化镓(GaN)晶圆片.所使用掺杂气体为浓度为5%的......
期刊
氢化物气向外延
氮化镓
晶体生长
碳掺杂
晶圆片
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