氢化物气相外延(HVPE)相关论文
在自制的立式氢化物气相外延(HVPE)系统炉中,一定温度下通入一定流量的NH3使GaAs(111)衬底氮化一层GaN薄膜,以防止高温外延生长GaN......
期刊
对用氢化物气相外延（HVPE）方法生长的n型GaN进行光助电化学（PEC）腐蚀研究，发现了位错中止腐蚀的直接证据，并对其机理作了探讨。......
在自制设备上用氢化物气相外延（HVPE）方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温......
在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中，发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法，并且讨论了额外HCl和......
采用有限元计算软件并结合多层膜理论，封蓝宝石衬底上氢化物气相外延（HVPE）生长氮化镓（GaN）厚膜的应力情况进行研究。由于衬底和厚膜不......
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采用低温AIN插入层在氢化物气相外延（HVPE）设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射（XRD）测量发现，低温AIN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量......
系统研究了HCl的载气、NH3的载气、总N2载气流量以及镓源反应温度和外延生长温度对氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长的GaN膜晶......
采用氢化物气相外延（HVPE）方法在2英寸（1英寸=2.54 cm）c面蓝宝石衬底上外延生长了高质量GaN单晶薄膜。在GaN生长过程中引入点状和条状......
