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在制备烧结体SnO_2半导体气敏元件的基础上,对元件表面进行了覆膜处理,得到具有高选择性的氢气敏感元件。......
本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在室温下空气中，对１５０ｐｐｍ氢气反向电流改变１０倍以上的氢敏器件。......
<正> 我所和科学院半导体研究所共同研制的Pd—MOSFET氢敏器件组装的HD—Ⅱ型自动测氢仪,可自动取样,连续记录,响应恢复快,灵敏度......
