氧化锌材料相关论文
本研究采用高分子网络凝胶法制备了稀土钇、镧分别掺杂的纳米Zn O光催化剂,探讨了丙烯酰胺单体与N,N’-亚甲基双丙烯酰胺网络剂的......
氧化锌(ZnO)纳米材料具有禁带宽(3.37eV)，光电性质良好，化学稳定性高，在高场强下，能带易弯曲等优点，被认为是最有前途的场发射阴极材料......
氧化锌（ZnO）材料是第三代宽禁带半导体之一，拥有较宽禁带宽度3.37eV及直接带隙的能带特点，在发光二极管和半导体激光器等光电器件领域......
氧化锌(ZnO)材料是一种直接带隙宽禁带半导体，具有一系列优异性质。作为未来纳米器件的重要构筑原件，一维ZnO纳米器件的制备及特性研......
ZnO是重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,其纳米结构由于独特的性质是目前研究的重点。本论文以Cu作为掺杂源,制备Cu掺杂的ZnO纳米结构,并分......
纳米粉体泛指粒径小于100nm的粉末.由于纳米粉体的晶粒小,表面曲率大或比表面积大,存在小尺寸效应、表面界面效应、量子尺寸效应及......
ZnO是具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料，室温带宽约为3．37eV，激子束缚能为60meV。ZnO和GaN的能带间隙和晶格常数非常接近，可......
理论预言具有室温铁磁性的宽禁带半导体ZnO被人们认为是实现自旋电子器件的优选材料,但目前实验上观察到的铁磁性均被归结于薄膜中......
