氧注入相关论文
我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较......
利用ＲＢＳ和ＴＥＭ技术分析研究了不同注入剂量、注入方式（单重注入，多重注入）对ＳＩＭＯＸ材料各层结构的影响，特别着重研究了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面过渡区受注入条件的影响。......
我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较......
在大剂量氧注入硅成ＳＩＭＯＸ的物理过程分析基础上与电迁移根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系，首次得到Ｏ对硅表面溅射......
通过比较在低温下避光,光照、衬底加偏置三种情况下进行的电导率和霍尔效应测量、分析了氧注入绝缘体上硅材料(SIMOX)。发现在 130......
采用大剂量氧离子注入（１７０ｋｅＶ，１．８×１０１８＋／ｃｍ２）ｐ型单晶硅，高温退火（１３００℃，６ｈ）后形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔａｔｌｏｎｏｆＯｘｙｇｅｎ）样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明，该样品表层硅膜的导电类型由ｐ型反......
