１１２ＭｅＶ Ａｒ离子在５０Ｋ以下的低温辐照Ｓｉ到８×１０＾１４／ｃｍ＾２剂量，室温下采用电子顺磁共振技术分析了由辐射引起的缺陷产生及其退火行为。结果表明：Ａｒ离子辐照在Ｓｉ中......