氮化嫁相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

氮化嫁相关论文

第三代半导体材料生长与器件应用的研究

着重论述了以ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍......

期刊

碳化硅氮化嫁晶体生长半导体器件宽带隙半导体

GaN基Ni/Au肖特基接触特性研究

宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点，在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜......

学位

氮化嫁肖特基接触势垒高度理想因子刻蚀损伤

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