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本文研究了宽禁带半导体材料氮化硼晶体的性能及应用框架，结果表明：cBN晶体具有闪锌矿结构，没有反演对称中心，所以具有二阶非线性光学......
伴随击穿的发生立方氮化硼(cBN)晶体产生电致变色现象。基于这一现象,我们利用650nm激光进行了吸收调制实验。在直流情况下。测得c......
通过对原材料、触媒及高压合成系统工艺的研究,采用φ32-40mm腔体在新型复合触媒体系下合成出棕色立方氮化硼单晶.对所得立方氮化......
