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氮化镓成核层相关论文
低温GaN成核层MOCVD生长工艺对GaN外延薄膜影响的研究
III族氮化物半导体材料的研究和应用是目前半导体行业的热点。GaN基半导体材料作为第三代半导体材料的代表,在高温、高频、微波、大......
学位
氮化镓成核层
生长温度
氨气流量
位错密度
金属有机化学气相沉积
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