氮原子吸附相关硕士博士期刊学术论文

Ⅱ-Ⅵ族半导体ZnO是继GaN之后又一种新型的直接带隙宽禁带氧化物半导体材料，在常温常压下其能隙Eg=3.37 eV，而且相比于其他宽带隙半......