汽相淀积法相关论文
一、引言 在电子工业飞跃发展的今天,半导体器件生产已进入了一个崭新的阶段。目前半导体器件生产正朝大规模集成电路、超高频大......
用有机金属汽相淀积法(OMCVD)在CdTe上外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe已试制成功。这种令人鼓午的结果表明:向研制大规模低成本生产这种......
把许多光电探测器元件(金属-绝缘体-半导体光电二极管或光导器件)制成阵列形的能力取决于在适当的衬底上制得具有优良电子性能和......
本文讨论了用Si_3N_4作绝缘层的薄膜ZnS:TbF_3金属-绝缘体-半导体(MIS)的电致发光器件,Si_3N_4绝缘层用电子回旋谐振等离子化学汽......
具有四元有源层的InGaAlP可见光激光二报管成功地实现了638nm室温(25℃)连续波工作。用金属有机化学汽相淀积法制作了横模稳定的选......
快速热化学汽相淀积法已用于生长100(?)厚度的Si和Si_(1-x)Ge_x结构。本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标......
当将加速至近似光速的电子作圆周运动时，这便称谓同步加速器放射光（SR）。它能发生方向性好、高亮度的高能量光。人们正研究将此应用于......
用金属有机化学汽相淀积法(MOCVD)研制出了低噪声HEMTAlGaAs/GaAs异质结器件。这种HEMT的栅长为0.5μm、栅宽为200μm。室温下,频......
