沟槽终端相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

沟槽终端相关论文

一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构

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期刊

场限环沟槽终端击穿电压

10KV 4H-SiC IGBT的分析与设计

碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带材料的典型代表,具有禁带宽度大,临界击穿电场高,热导率高,载流子饱和速度高等优点,是目前功率半导体......

学位

4H-SiC IGBT 电流增强埋岛沟槽终端

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