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MBE—GaAs/Si的背散射沟道分析
对 MBE-GaAs/Si 进行离子注入和退火.GaAs 外延层的厚度为0.9-2.0μm.Si离子的注入能量及剂量分别为1.2-2.8MeV,l×10<sup>14<......
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MBE
GAAS
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背散射
沟道分析
Ion implantationBackscatleringChanneling analysis
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