沟道深度方向的非均匀电势相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

沟道深度方向的非均匀电势相关论文

考虑量子效应的双栅MOSFET的阈电压解析建模

推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压．该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电势......

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双栅MOSFET 一维解析量子求解沟道深度方向的非均匀电势电子密度阈电压沟道深度 DG MOSFET 1D analytical QM solution

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