注入损伤相关论文
通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和......
在这篇文章中,主要通过标准的F离子注入技术实现增强型metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors(MIS-H......
研究电磁脉冲对电路的注入与辐照效应，并探讨注入法与辐照法的相关性．以引信点火电路上的关键器件可控硅为研究对象，以方波脉冲为干扰......
随着社会经济的快速发展和科学技术水平的不断提升,射频电路抗高功率微波成为现代高科技对抗领域中的重要技术手段。本文以高功率......
采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验，目的是比较二者对器件损伤的异同之处。分析时，首先对实验数据作拟合分......
对注N<sup>+</sup>形成的SOI材料,在不同条件下注入Si<sup>+</sup>,分别使上层硅的表面、与埋层的界面及整个上层硅区域无定形化;......
ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离 入无论在基础研究还是在顺件工艺中......
在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同......
采用２０ｋｅＶ Ｎ＾＋注入固态甘氨酸（Ｇｌｙ）薄膜。对注入样品的α粒子透射能谱以及样品溶于水后溶液的电导率和氨基含量的测量，揭示了低能离子注入的损伤......
利用电子顺磁共振和红外光谱研究了ｋｅＶ级Ｎ＾＋注入到几种固态氨基酸样品中引起的分子结构损伤。结果表明，这一注入导致了分子的严重损伤：分子......
用27keV的~(57)Fe离子注入金属铁箔,注入剂量在2×10~(16)到5×10~(16)个/cm~2之间。由内转换电子穆斯堡尔谱观察到存在三......
