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对1200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力......
期刊
作为第三代半导体材料的代表,GaN具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子迁移率等优点,因此GaN功率器件被广泛应用于高频、高功率密度......
讨论了半导体放电管能量损耗对其浪涌能力的影响.结果表明减小长基区宽度可以明显地降低器件的开通和通态能量损耗,从而有效提高器......
在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图......
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